第一部分： 半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
    一．理解下列基本概念
    能級，能級簡并化，共有化運(yùn)動(dòng)，能帶（導(dǎo)帶，價(jià)帶，滿帶，空帶），禁帶，有效質(zhì)量，縱向（橫向）有效質(zhì)量，k空間等能面，本征半導(dǎo)體，本征激發(fā)，空穴（重空穴，輕空穴），載流子。
    二．分析掌握下列基本問題
    1．能帶的特點(diǎn)，能帶的雜化，能帶的描述。
    2．導(dǎo)體，半導(dǎo)體，絕緣體能帶結(jié)構(gòu)的區(qū)別。
    3．本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理。
    4．Si，Ge，GaAs能帶結(jié)構(gòu)的異同點(diǎn)。
    第二部分： 半導(dǎo)體中雜質(zhì)和缺陷能級
    一．理解下列基本概念
    雜質(zhì)，替位式雜質(zhì)，間隙式雜質(zhì)，雜質(zhì)能級
    施主雜質(zhì)，施主能級，正電中心，施主電離，電離能，n型半導(dǎo)體
    受主雜質(zhì)，受主能級，負(fù)電中心，受主電離，P型半導(dǎo)體
    淺能級雜質(zhì)，深能級雜質(zhì)，雜質(zhì)補(bǔ)償，中性雜質(zhì)
    二．分析掌握下列基本問題
    1．N型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體的導(dǎo)電原理
    2．某些雜質(zhì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生若干個(gè)能級的原理
    3．雜質(zhì)的補(bǔ)償原理及其利弊
    4．位錯(cuò)在Si（Ge）中起施主或受主作用的原理，及其對Eg的影響
    第三部分：半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布
    一．理解下列基本概念
    熱平衡狀態(tài)，熱平衡載流子，費(fèi)米能級
    非簡化性系統(tǒng)，非簡并半導(dǎo)體，簡并性系統(tǒng)，簡并半導(dǎo)體
    有效狀態(tài)密度，狀態(tài)密度有效質(zhì)量，多數(shù)載流子，少數(shù)載流子
    二．分析掌握下列基本問題
    1．費(fèi)米分布函數(shù)的性質(zhì)
    2．玻氏分布代替費(fèi)米分布的條件
    3．導(dǎo)帶電子濃度和價(jià)帶空穴濃度表示式分析推導(dǎo)的思想方法
    4．雜質(zhì)半導(dǎo)體EF隨雜質(zhì)濃度變化關(guān)系，隨溫度的變化關(guān)系
    5．載流子濃度隨溫度的變化關(guān)系
    6．區(qū)分半導(dǎo)體載流子出現(xiàn)非簡并，弱簡并，簡并的標(biāo)準(zhǔn)
    5．各種熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體電中性條件
    三．熟識(shí)公式并運(yùn)用
    1．費(fèi)米分布函數(shù)表示式
    2．玻氏分布函數(shù)表示式
    3．導(dǎo)帶電子濃度，價(jià)帶空穴濃度表示式
    4．本征載流子濃度表示式，本征費(fèi)米能級表示式
    5．載流子濃度乘積表示式，及其與本征載流子濃度的關(guān)系
    6．飽和電離溫度區(qū)載流子濃度及EF的表示式（n型和p型半導(dǎo)體）
    7．過渡溫度區(qū)載流子濃度表示式（n-s 和 p-s）
    8．簡并半導(dǎo)體載流子濃度表示式
    9．已電離雜質(zhì)濃度表示式
    第四部分：半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
    一．理解下列基本概念
    電流密度，漂移運(yùn)動(dòng)，平均漂移速度，遷移率
    自由時(shí)間，平均自由時(shí)間，電導(dǎo)有效質(zhì)量
    載流子散射，散射幾率，格波，聲子，彈性散射，非彈性散射
    熱載流子
    二．分析掌握下列基本問題
    1．遷移率概念的引進(jìn)，遷移率簡單理論分析的思想方法
    2．電離雜質(zhì)散射機(jī)理
    3．遷移率與雜質(zhì)和溫度的關(guān)系
    4．電阻率與雜質(zhì)和溫度的關(guān)系
    5．波爾茲曼方程建立的思想方法
    6．統(tǒng)計(jì)理論分析與簡單理論分析得到半導(dǎo)體電導(dǎo)率結(jié)果比較
    7．強(qiáng)電場作用下半導(dǎo)體發(fā)生歐姆定律偏離的原因，熱載流子產(chǎn)生
    三．熟識(shí)公式并運(yùn)用
    1．歐姆定律的微分形式
    2．電導(dǎo)率表示式（混合型，n型，p型，本征型半導(dǎo)體）
    3．遷移率表示式
    4．電離雜質(zhì)散射和晶格散射幾率與溫度關(guān)系
    5．電阻率表示式（混合型，n型，p型，本征型半導(dǎo)體）
    6．波爾茲曼方程表示式
    7．電導(dǎo)率統(tǒng)計(jì)理論的結(jié)果表示式
    第五部分：非平衡載流子
    一．理解下列基本概念
    載流子的產(chǎn)生率，復(fù)合率，凈復(fù)合率
    電子—空穴對的復(fù)合幾率，半導(dǎo)體非平衡態(tài)；非平衡載流子
    非平衡載流子的復(fù)合率，復(fù)合幾率，積累率
    準(zhǔn)費(fèi)米能級，非平衡載流子壽命，有效壽命（表觀壽命）
    直接復(fù)合，簡介復(fù)合，表面復(fù)合，復(fù)合截面，復(fù)合中心，復(fù)合中心能級
    陷阱效應(yīng)，陷阱，陷阱中心
    擴(kuò)散系數(shù)，擴(kuò)散長度，擴(kuò)散速度，牽引長度
    二．分析掌握下列基本問題
    1．半導(dǎo)體熱平衡態(tài)和非平衡態(tài)特點(diǎn)的比較
    2．非平衡載流子的注入與檢驗(yàn)的方法的原理
    3．非平子隨時(shí)間衰減規(guī)律，及其推證思想方法，壽命τ的物理意義
    4．準(zhǔn)費(fèi)米能級的特點(diǎn)
    5．復(fù)合過程的性質(zhì)
    6．直接復(fù)合過程分析
    7．間接復(fù)合的特點(diǎn)，間接復(fù)合過程的分析
    8．金在Si中如何起復(fù)合中心作用
    9．表面復(fù)合存在的依據(jù)及解釋
    10．雜質(zhì)在半導(dǎo)體中的作用，雜質(zhì)能級在怎樣情況下才有明顯的陷阱效應(yīng)作用，怎樣分析最有效的陷阱
    11．一維穩(wěn)定擴(kuò)散的特點(diǎn)，一維穩(wěn)定擴(kuò)散的分析思想方法
    12．愛恩斯坦關(guān)系推證的思想方法
    13．非平載流子既漂移又?jǐn)U散時(shí)的非平子濃度分析
    14．連續(xù)性方程的意義以及具體情況下的求解
    三．熟識(shí)公式并運(yùn)用
    1．非平衡載流子隨時(shí)間衰減規(guī)律表示式
    2．非平衡載流子復(fù)合率與非平衡載流子濃度關(guān)系表示式
    3．非平衡導(dǎo)體電子濃度（價(jià)帶空穴濃度）表示式
    4．直接復(fù)合機(jī)構(gòu)決定的非平衡載流子壽命表示式（大，中，小信號）
    5．間接復(fù)合理論分析得到的非平衡載流子壽命表示式
    6．連續(xù)性方程表示式
    第六部分：金屬和半導(dǎo)體接觸
    一．理解下列基本概念
    半導(dǎo)體表面，空間電荷區(qū)，表面勢，表面勢壘，表面勢壘高度
    功函數(shù)，接觸電勢壘，接觸勢壘，高阻區(qū)（阻擋層），高電導(dǎo)區(qū)（反阻擋層）
    耗盡層，少子注入，歐姆接觸，肖特基勢壘
    二．分析掌握下列基本問題
    1．外電場作用下半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)的形成，表面層電場，電勢，電勢能的分布及能帶圖。
    2．耗盡層近似下半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)泊松方程的建立及表面勢的求解過程
    3．表面勢對功函數(shù)的影響
    4．金屬和半導(dǎo)體接觸，接觸電勢差的形成及接觸勢壘的出現(xiàn)
    5．接觸勢壘的特點(diǎn)，表面態(tài)對接觸勢壘的影響
    6．金屬和半導(dǎo)體接觸能整流特性的定性說明
    7．?dāng)U散理論和熱電子發(fā)射理論條件，分析方法以及結(jié)果比較
    8．接觸阻擋層整流特性試驗(yàn)與理論結(jié)果的比較，鏡像力和隧道效應(yīng)對整流特性的影響
    9．歐姆接觸兩種基本結(jié)構(gòu)及原理
    三 .熟識(shí)公式并運(yùn)用
    1．電勢差與功函數(shù)關(guān)系表示式
    2．完全接觸電勢高度表示式
    3．金屬和n型半導(dǎo)體接觸耗盡近似電勢分布表示式
    4．耗盡近似接觸勢壘寬度與外加電壓關(guān)系表示式（n-s）
    5．接觸阻擋層電流與外加電壓關(guān)系（理想情況）表示式
    （a）整流理論
    (b) 熱電子發(fā)射理論
    第七部分：半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)
    一. 理解下列基本概念：
    表面態(tài)，表面能級，塔姆能級，懸掛鍵，堆積層，反型層
    平帶電容，平帶電壓，C-V特性，B-T試驗(yàn)，表面電導(dǎo)，有效遷移率
    二 .分析掌握下列基本問題
    1．表面態(tài)存在的理論依據(jù)
    2．各種表面狀態(tài)下，電場、面電荷密度、表面微分電容分析及結(jié)果
    3．表面電荷密度隨Vs的變化關(guān)系
    4．理想MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的分析，歸一化電容與外加偏壓的變化關(guān)系
    5．金屬和半導(dǎo)體功函數(shù)差，絕緣層中電荷對MIS結(jié)構(gòu)C－V特性的影響
    6．Si-SiO2系統(tǒng)中可動(dòng)離子電荷，固定電荷，界面態(tài)，電離陷阱電荷這四種電荷的特征，成因及其對C-V特性影響
    三 .熟識(shí)公式并運(yùn)用
    1．電容表示式
    2．耗盡層近似下表面微分電容與耗盡寬度關(guān)系表示式
    3．強(qiáng)反型最大耗盡寬度表示式
    4．MIS結(jié)構(gòu)歸一化電容與絕緣層電容和表面層電容關(guān)系表示式
    5．歸一化平帶電容表示式
    第八部分：半導(dǎo)體的光電性質(zhì)及光電效應(yīng)
    一. 理解下列基本概念
    吸收系數(shù)，反射系數(shù)，投射系數(shù)
    本征吸收，雜質(zhì)吸收，晶格吸收，激子吸收，自由載流子吸收
    長波限，直接躍遷，間接躍遷
    光電導(dǎo)，光電導(dǎo)馳豫過程，光生伏特效應(yīng)，輻射躍遷，受激輻射躍遷，本征躍遷
    粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，激光作用條件，激光閾值條件，光學(xué)共振腔
    直接帶隙材料，間接帶隙材料
    二. 分析掌握下列主要問題
    1．半導(dǎo)體光吸收宏觀規(guī)律的分析及結(jié)果
    2．本征吸收微觀過程分析
    3．光電導(dǎo)的分析
    4．光生伏特效應(yīng)的作用機(jī)理
    5．p-n結(jié)正向電注入發(fā)光機(jī)理
    6．分析產(chǎn)生激光的三個(gè)基本條件
    7．p-n結(jié)注入式半導(dǎo)體激光產(chǎn)生的機(jī)理
    三. 熟識(shí)公式并應(yīng)用
    1．光強(qiáng)隨深入距離衰減的關(guān)系表示式
    2．本征吸收長波限表示式
    3．半導(dǎo)體光電導(dǎo)表示式
    4．半導(dǎo)體光電池
    (1) 電壓與電流關(guān)系表示式
    (2) 開路電壓表示式
    (3) 短路電流表示式
    第九部分：半導(dǎo)體的熱電、磁電和壓阻效應(yīng)，異質(zhì)結(jié)
    一．理解下列基本概念
    熱傳導(dǎo)，熱導(dǎo)率，溫差電效應(yīng)，溫差電動(dòng)勢率，塞貝克效應(yīng)
    溫差電偶，帕爾貼效應(yīng)，湯姆遜效應(yīng)
    霍爾效應(yīng)，霍爾系數(shù)，霍爾角，霍爾遷移率
    磁阻效應(yīng)，物理磁阻效應(yīng)，幾何磁阻效應(yīng)
    愛廷豪森效應(yīng)，能斯脫效應(yīng)，里紀(jì)-勒杜克效應(yīng)
    光磁電效應(yīng)，壓阻效應(yīng)，壓阻系數(shù)
    異質(zhì)結(jié)，同型異質(zhì)，反型異質(zhì)結(jié)
    二．分析掌握下列主要問題
    1．霍爾效應(yīng)產(chǎn)生的物理過程
    2．物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)產(chǎn)生物理過程
    3．壓阻效應(yīng)的各向異性性質(zhì)
    4．理想情況下異質(zhì)結(jié)能帶圖
    三. 熟識(shí)公式并應(yīng)用
    1.霍爾電場表示式
    2．霍爾系數(shù)表示式
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